前驅(qū)體ALD 和 CVD 有什么區(qū)別
ALD （Atomic layer deposition）和 CVD（Chemical Vapour Deposition）
半導(dǎo)體ALD/CVD前驅(qū)體是半導(dǎo)體薄膜沉積工藝的核心關(guān)鍵原材料，能夠通過化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）和原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）制備金屬/氧化物/氮化物薄膜，用于90nm-14nm甚至7nm先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝，被廣泛應(yīng)用于高端芯片制造，包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲(chǔ)器和云計(jì)算芯片等。
原子層沉積（ALD）
原子層沉積（ALD）是一種薄膜沉積技術(shù)。事實(shí)上，它是一種基于自限性表面反應(yīng)的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。它涉及通過改變氣相化學(xué)反應(yīng)的循環(huán)將材料薄膜沉積到基材上。在每個(gè)循環(huán)期間，前體氣體被引入反應(yīng)室，在其中與基材表面反應(yīng)形成單層材料。然后除去未反應(yīng)的前體氣體，并引入第二前體氣體以與單層反應(yīng)。重復(fù)該循環(huán)直至達(dá)到所需的膜厚度。
ALD 有很多應(yīng)用。該技術(shù)可用于電子、光學(xué)、能源和催化等各個(gè)領(lǐng)域。它主要用于半導(dǎo)體和集成電路的生產(chǎn)。ALD 有助于沉積高 k 介電材料，例如氧化鉿和氧化鋁，它們是存儲(chǔ)芯片和微處理器的重要組成部分。
ALD 還可用于薄膜太陽能電池的生產(chǎn)。它有助于沉積氧化鋅和硫化鎘等材料的薄層。這些對(duì)于太陽能電池的性能至關(guān)重要。使用 ALD 沉積這些層可以生產(chǎn)具有優(yōu)異光學(xué)和電學(xué)性能的高質(zhì)量薄膜。
ALD 還有助于生產(chǎn)光學(xué)元件的高性能涂層。例如，在透鏡和鏡子中，ALD 沉積抗反射涂層。ALD 還有助于在柔性顯示器和有機(jī)電子產(chǎn)品上沉積阻隔涂層。
CVD（即化學(xué)氣相沉積）
CVD（即化學(xué)氣相沉積）是在各種應(yīng)用中將薄膜沉積到基材上的常用技術(shù)。CVD 涉及氣相反應(yīng)物在基材表面或附近的反應(yīng)，形成固體薄膜。它還涉及前體氣體。它分解或與另一種氣體反應(yīng)，以便在基材上形成固體薄膜。通常將前體氣體引入包含基底的反應(yīng)室中，在反應(yīng)室中將前體氣體加熱至足以使前體分解或與另一種氣體反應(yīng)以在基底上形成固體膜的溫度。
CVD 在光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域有許多不同的應(yīng)用。它在半導(dǎo)體工業(yè)中也可用于制造電子設(shè)備的薄膜和涂層。在光學(xué)領(lǐng)域，CVD 可用于在透鏡、鏡子和其他光學(xué)元件上沉積涂層。在材料科學(xué)領(lǐng)域，CVD 有助于合成各種材料，例如陶瓷、聚合物和金屬。
ALD 和 CVD 之間的區(qū)別
定義
ALD 是一種基于自限性表面反應(yīng)的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，而 CVD 是一種廣泛使用的材料加工技術(shù)，其中通過氣相前驅(qū)體的化學(xué)反應(yīng)在加熱的基板上形成薄膜。
方式
ALD 一次沉積一層原子層的薄膜，而 CVD 可以沉積厚度范圍更廣的薄膜。
溫度
ALD 需要較低的溫度，而 CVD 則需要較高的溫度。
應(yīng)用領(lǐng)域
ALD 可用于半導(dǎo)體和集成電路、薄膜太陽能電池的生產(chǎn)以及光學(xué)元件高性能涂層的生產(chǎn)。另一方面，CVD 在光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，有助于電子設(shè)備薄膜和涂層的制造、透鏡和鏡子上涂層的沉積以及各種材料的合成。
結(jié)論
ALD 和 CVD 是有助于在基板上沉積薄膜的薄膜沉積技術(shù)。
ALD 和 CVD 之間的主要區(qū)別在于 ALD 一次沉積一個(gè)原子層的薄膜，而 CVD 可以沉積厚度范圍更廣的薄膜。
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